-gazetkę
IXBN75N170 Moduł IGBT
Tylko 1 produkt w magazynie
1 311,00 zł
1 337,22 zł
Darmowa dostawa
14 dni na odstąpienie od umowy
GZZ
Sprawdzony sklep | Kupujesz od firmy
96,3% kupujących poleca ten sklep
O sprzedającym
Szczegółowe dane, kontakt, informacje
Parametry
Opis produktu
Producent = IXYS
Obudowa = SOT227B
Napięcie wsteczne maks. = 1,7kV
Struktura półprzewodnika = pojedynczy tranzystor
Napięcie bramka - emiter = ±20V
Prąd kolektora = 75A
Prąd kolektora w impulsie = 680A
Moc rozpraszana = 625W
Montaż elektryczny = przykręcany
Montaż mechaniczny = przykręcany
Właściwości elementów półprzewodnikowych = wysokonapięciowa
Technologia = BiMOSFET™
Typ modułu półprzewodnikowego = IGBT
Opinie o produkcie 0
IXBN75N170 Moduł IGBT
Brak opinii spełniających kryteria